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多晶矽人工破碎台

一種多晶矽人工破碎台

提供一種多晶矽人工破碎台,包括:開設有開孔的破碎台麵、至少一個下料漏鬥和至少一個剩料箱,下料漏鬥的入口與破碎台麵的下表麵相連,並與所述開孔連通,下料漏鬥的出口與剩料箱的開口相對,其特征在於,破碎台麵的上表麵、下料漏鬥的內表麵和/或剩料箱的內表麵設置有聚氨酯PU層。本實用新型在破碎台麵的上表麵、下料漏鬥的內表麵和/或剩料箱的內表麵設置PU層,PU材料不掉渣、不起皮,有良好的強度與硬度,在多晶矽破碎過程中,不會對多晶矽表麵造成汙染,保證產品品質,提高太陽能轉化效率。另外,PU材料耐磨損,使用壽命長,而且,吸音性強,在多晶矽破碎過程中能在一定程度上減少噪音。

—種多晶矽人工破碎台

本實用新型涉及多晶娃生產設備領域,特別是涉及一種多晶娃人工破碎台。

【背景技術】

在多晶矽生產過程中,生產出來的多晶矽棒需進入產品整理工序,即經轉運箱搬運到多晶矽人工破碎台上,由人工將棒狀產品破碎為滿足國標要求的塊狀產品。

傳統的多晶矽破碎平台采用不鏽鋼、合金等材質製成,在與多晶矽接觸過程中會不同程度的對多晶娃表麵造成汙染,造成多晶娃表麵金屬雜質含量超標。而多晶娃表麵金屬雜質會在多晶矽下遊應用中造成矽材料少數載流子壽命降低。少數載流子壽命是指非平衡載流子的壽命,該參數對太陽能轉化效率有很大影響。正是因為少數載流子壽命對下遊客戶的重要影響,少數載流子壽命的長短也決定著多晶矽廠家生產技術與產品品質的優劣,因此,如何降低多晶矽表麵金屬雜質含量也成為多晶矽生產過程中的一個重要問題。

]因此,亟需一種多晶矽人工破碎台以解決上述技術問題。

新型內容

本實用新型針對現有技術中存在的上述不足,提供一種多晶矽人工破碎台,用以解決多晶娃表麵金屬雜質含量超標的問題。

本實用新型為解決上述技術問題,采用如下技術方案:

本實用新型提供一種多晶矽人工破碎台,包括:開設有開孔的破碎台麵、至少一個下料漏鬥和至少一個剩料箱,下料漏鬥的入口與破碎台麵的下表麵相連,並與所述開孔連通,下料漏鬥的出口與剩料箱的開口相對,其特征在於,破碎台麵的上表麵、下料漏鬥的內表麵和/或剩料箱的內表麵設置有聚氨酯I3U層。

優選的,述破碎台麵呈矩形,在破碎台麵的四個角上,豎直向上設置有四根豎直支架,在四根豎直支架的頂端,兩兩相鄰的豎直支架之間分別水平連接有水平支架。

優選的,破碎台麵的下方形成封閉空間,所述下料漏鬥和所述剩料箱容置於所述封閉空間內;

所述多晶矽人工破碎台還包括:抽風機、抽風風道和用於向外送風的外送風風道,所述抽風機和外送風風道設置於所述破碎台麵的一側,所述抽風風道容置於所述封閉空間內,分別與下料漏鬥的出口和所述外送風風道相連,抽風機的抽風口與所述外送風風道相連。

優選的,述破碎台麵的兩個側邊上分別設置有豎直的牆板,每側的牆板分別固定於該側的豎直支架上,兩側的牆板上均設有側抽風口 ;

所述多晶矽人工破碎台還包括設置於兩側的牆板的外側的側抽風風道,所述側抽風風道分別與所述側抽風口和所述抽風風道相連通。

優選的,述側抽風口為多個,所述側抽風口在兩側的牆板上豎直排列;最上端的側抽風口到所述破碎台麵的距離為30-40cm。

優選的,碎台麵的四根豎直支架上設置有導軌;

所述多晶矽人工破碎台還包括第一推拉門和第二推拉門,所述第一推拉門和第二推拉門的寬度與所述前水平支架和後水平支架的長度相等,所述第一推拉門和第二推拉門設置於所述導軌上;

所述第一推拉門設置於所述破碎台麵的前側,能夠在破碎台麵前側的導軌的導引下上下滑動;所述第二推拉門設置於破碎台麵的後側,能夠在破碎台麵後側的導軌的導引下上下滑動。

優選的,述第一推拉門和第二推拉門采用透明的鋼化玻璃製成。

優選的,述開孔為多個,所述開孔均勻分布於所述破碎台麵上。

優選的,孔的直徑為25mm。

優選的,鬥的側壁與水平麵呈30度角。

本實用新型具有如下有益效果:

本實用新型在破碎台麵的上表麵、下料漏鬥的內表麵和/或剩料箱的內表麵設置PU層,I3U材料不掉渣、不起皮,有良好的強度與硬度,在多晶矽破碎過程中,不會對多晶矽表麵造成汙染,保證產品品質,提高太陽能轉化效率。另外,PU材料耐磨損,使用壽命長,而且,吸音性強,在多晶矽破碎過程中能在一定程度上減少噪音。